韩根全教授做客我校“创新论坛”

10月12日，由我校科技处、党委组织部、科协主办，物理学院承办的“西北大学创新论坛”第九百八十九讲在长安校区举行。陕西级人才计划获得者，西安电子科技大学韩根全教授应邀来校为师生做了题为“后摩尔时代微电子新器件--如何选择科研题目并取得成功”的报告。我院相关专业师生代表参加了报告会。韩根全教授2013年回国到现在主要从事后摩尔新型微电子器件和研究，并围绕后摩尔新型微电子器件和芯片取得了一系列重要研究成果。

韩根全教授首先围绕高迁移率沟道晶体管、负电容晶体管、新型铁电材料、高导热衬底异质集成Ga2O3这四个方面展开介绍。随后，韩根全教授向我们分享高迁移率GeSn沟道MOSFET的优势：1、GeSn空穴迁移率远高于Si、Ge和III-V。2、GeSn电子迁移率高于Si和Ge。3、GeSn易实现Si基集成，与CMOS工艺兼容。最后，韩根全教授鼓励同学们要踏踏实实做事，全身心投入，勤奋最重要。

报告结束后，韩根全教授详尽解答了师生的问题。此次报告学术氛围浓厚，通过交流拓展了与会师生的视野，对大家启示良多，报告在热烈的掌声中圆满结束。